یک فیلتر Gm-C قابل تنظیم ولتاژ پایین و توان پایین برای کاربردهای بی‌سیم
نویسندگان
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم 40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست می‌آید. نتایج شبیه‌سازی تقویت‌کننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz را نشان می‌دهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تقویت کننده پیشنهادی، با ولتاژ تغذیه کمتر، عملکرد فرکانسی بهتر، سوئینگ ولتاژ خروجی بالاتر، خطینگی بهتر و توان مصرفی کمتری را عرضه می‌کند. OTA پیشنهادی در ساختار یک فیلتر "G" _"m" "-C" مرتبه دوم به کار گرفته شده و محدوده تنظیم خوب از 100 kHz تا 5.6 MHz به دست آمد که مشخصات بی‌سیم Bluetooth (فرکانس 650 kHz)، CDMA2000 (فرکانس 700 kHz) و Wideband CDMA (فرکانس 2.2 MHz) را به خوبی پوشش می‌دهد. مساحت اشغال شده سیلیکون برای فیلتر طراحی شده برابر 192μm×535μm می‌باشد.
منابع مشابه
طراحی یک فیلتر چند حالته Gm-C با توان مصرفی پایین در ناحیه زیر آستانه
در این مقاله یک فیلتر Gm-C چند حالته (universal) مرتبهی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخهای فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت Q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنیبر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (Sub Threshold) ارا...
متن کاملطراحی یک فیلتر چند حالته Gm-C با توان مصرفی پایین در ناحیه زیر آستانه
در این مقاله یک فیلتر Gm-C چند حالته (universal) مرتبهی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخهای فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت Q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنیبر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (Sub Threshold) ارا...
متن کاملطراحی واحد تأخیر CMOS برای افزایش محدوده دینامیکی و خطینگی بالا برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین
در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ همواره طراحی و پیاده سازی یک واحد تأخیر مناسب برای کاربردهای دیجیتال و آنالوگ به عنوان یک چالش مطرح بوده است. این مدار کوچک نقش قابل توجهی در کارآیی سیستمهای مختلف و بخصوص سیستمهای دیجیتال ایفا می‌نماید. از آنجا که در تکنولوژی‌های زیر میکرون که توان مصرفی و کاهش ولتاژ به عنوان یک ضرورت احساس می‌شود، دست یابی به یک واحد تأخیر با خطینگی مناسب به عنوان مشکل بزرگی در ...
متن کاملطراحی مدار مبدل سطح ولتاژ با بازده توان بالا برای کاربردهای ولتاژ پایین
در این مقاله یک تبدیل سطح ولتاژ مؤثر که قابلیت تبدیل سطوح ولتاژ بسیار پایین ورودی به سطح بالاتر با کاربرد در فرکانسهای بالا را دارد، ارائه شده است. به منظور جلوگیری از اتلفات توان استاتیک، در ساختار پیشنهادی از یک منبع جریان استفاده شده و در طی انتقال فقط زمانی که در آن سطح منطق سیگنال ورودی با به سطح منطق خروجی متناظر نمی‌باشد، روشن است. عملکرد ساختار پیشنهادی تحلیل و بررسی شده و نتایج شب...
متن کاملطراحی یک فیلتر چند حالته gm-c با توان مصرفی پایین در ناحیه زیر آستانه
در این مقاله یک فیلتر gm-c چند حالته (universal) مرتبهی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخهای فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنیبر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (sub threshold) ارائه شده است. بایاس کردن تراتزیستور...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 5 شماره 19
صفحات 3- 10
تاریخ انتشار 2014-12-01
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023